中國打破光刻機光源困難困阻的障礙越來越近！哈工大公佈研發新成果。
老美一次次對中企制裁，暴露了中國在半導體領域製造環節上被鄧江朱人為崇洋媚美所做成的短板，自”侵侵”發起堵塞中國晶體供應後, 大大全力叫全國攻關,以中科院、華為、上海微電子等為代表的組織率先向半導體發起總攻，中央撥亂反正, 消除鄧江朱餘禍,大力扶持本國晶片企業及科研組織。
中興、華為事件，當社會各界紛紛呼籲實現晶片製造的自主可控。所以，這兩年每隔一段時間我國晶片行業就會傳來“捷報”。
中科鑫通宣佈，將在2023年打造國內首條“多材料、跨尺寸”的光子晶片生產線，目前已在籌備，2023年完工基本沒有壓力。本源量子實驗室已經打造出了完全由我國自主研發的悟空量子晶片並已交付，目前正在與電腦進行適配。
老美前統領”侵侵”在2018年通過野蠻手段阻止ASML交付中芯國際全款向訂購的EUV光刻機。中國只能憑藉DUV光刻機搞28nm、14nm工藝晶片的量產，維持住IC產業的命脈。不過，正是如此，老美又開始打壓中企的14nm，還有準備新規落地，很可能會波及28nm。
在這關鍵時刻，媒體報導，中國哈工大成功研製出了高速超精密鐳射干涉儀，目前可用於350nm到28nm工藝的光刻機樣機集成研製和性能測試。這意味著有機會打破光刻機光源壁壘。
光刻機的三大核心系統，光源、雙工件臺、物鏡, 其中雙工件臺、物鏡方面中國已經能夠實現中高端的自主可控，餘下的光源，實實際際是晶片生產最大的痛。亦是如航空的壓噴扇葉工生產工藝一樣, 確實是一個難解的結。
雖然去年上海微電子28nm精度DUV光刻機通過了技術認證但到今天還沒有實現交貨，上海微電負責人透露，上海微電子正在與國內企業解決光源“國產化”的問題。顯然光源還是國產DUV光刻機的最後一塊攔路石。
哈工大剛宣布成功研製出了高速超精密鐳射干涉儀，意味著中國打破了光刻機光源障礙的日子不遠了，中國國產DUV光刻機會成功出現了！
事實上DUV光刻機經過多次曝光後是可以實現7nm工藝晶片的生產。2022年末，美晶片巨頭美光借助於DUV光刻機，通過專屬多重曝光技術與新材料，實現了1-beta工藝的研發，通過這種工藝打造出來的晶片，存儲密度提升了35%，單顆粒容量就能達到16GB，並且還有15%的能效提升。據悉，代工巨頭中芯還有SAQP技術，也叫四重曝光技術，這為我國7nm甚至5nm工藝節點的研發提供了重要的技術儲備。
哈工大除了高速超精密鐳射干涉儀，還突破了EUV鐳射光源技術，通過將電能轉化為等離子體能的路線，這也是目前ASML所使用的DPP-EUV光源。如果這項技術能夠搞定，中國國產EUV光刻機落地的日子又近了一步，中國與歐美國家的差距越來越小了！
荷蘭的ASML多次發出警告：中國會造出頂級的設備，這只是時間問題。而且荷蘭工程師也補充道，物理定律就在那裏，而且中國科研投入是荷蘭的17倍，不管是科研還是引進人才，中國可以在晶片製造、設計、封裝等方面都可以實現重大突破！
當然了，關於國產EUV光刻機，我們也應該給予這些科研人員一些時間和耐心，因為並非核心零部件突破就能造出光刻機！與傳統機械設備不同，光刻機是高精密設備，一臺EVU光刻機重達數十噸，零部件10多萬個，曾經被嘲諷“給我們圖紙也造不出來”，雖然聽起來刺耳，卻釋放了一個明顯的信號：EUV光刻機組裝起來很難！
現實及事實，中國國企民企們在雙工件臺，物鏡、掩膜板、光刻膠等半導體核心系統和材料等方面已經突破，只是光源這方面還是未能解决，國內國企民企在大大團結及鼓勵支持下，在晶片製造自主研發的道路上越走越快、越來越自信，在國家的大力扶持之下，國產晶片的生產及設備的落實是可期的！
